杨德仁，1964年4月出生，江苏扬州人，半导体材料专家。1985年毕业于浙江大学金属材料专业，1991年获半导体材料工学博士学位。1997年起担任浙江大学教授，2000年获聘教育部长江学者计划特聘教授，曾在日本、德国和瑞典访问工作，2017年当选中国科学院院士。

       长期从事半导体硅材料研究，太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料。提出了掺氮直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料。